CVD法を用いたGeO2膜の作製および評価

近年、MOSFETの更なる高速応答化に向けて、基板材料にSiに比べ移動度

の高いGeの導入が検討されている。Ge-MOSにおける基板材料とその酸化物の接合であるGeO2/Ge構造は熱的不安定性を有しており、高温プロセスの導入が困難なためにGeO2作製手法は確立されていない。

そこで我々は比較的低温での成膜が可能かつ段差被服性がよく立体チャネルへの応用が見込まれるCVD法に注目し良質なGeO2/Ge構造の作製を目指している。

[研究担当者]

M1 羽田野拓己

B4 木下みとい