間欠供給MOCVD法を用いたhigh-k膜の作製
ゲート絶縁膜に従来から使用されてきたSiO2より誘電率の高い材料を使用することにより、物理的な膜厚を維持したままでEOT（SiO2換算膜厚）値を低下させ、これによりMOS構造の容量値の増大を図り、FETの高集積化を目指すことに注目が集まっている。
本研究では、高誘電体であるZrO2,HfO2を間欠供給MOCVD法によりSi基板上に堆積させ、その特性を評価する。
[研究担当者]
技官 岩崎好孝
ゲート絶縁膜に従来から使用されてきたSiO2より誘電率の高い材料を使用することにより、物理的な膜厚を維持したままでEOT（SiO2換算膜厚）値を低下させ、これによりMOS構造の容量値の増大を図り、FETの高集積化を目指すことに注目が集まっている。
本研究では、高誘電体であるZrO2,HfO2を間欠供給MOCVD法によりSi基板上に堆積させ、その特性を評価する。
[研究担当者]
技官 岩崎好孝